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N. Achargui

Observed names: Achargui, Nour Eddine, Achargui, Nour-Eddine, N Achargui
Observed institution: Cadi Ayyad University
OpenAlex ID: A5002309273
Effect of the zinc composition on the formation of ternary alloy Cd1−xZnxTe thin films
2006 · A. Arbaoui, A. Outzourhit, et al. · Solar Energy Materials and Solar Cells · 21
Triethanolamine concentration effect on electrodeposited SnS thin films properties
2023 · A. Boubakri, Y. Koumya, et al. · Journal of Solid State Electrochemistry · 10
The use of experiment charts for the fabrication of porous silicon
1998 · A Benhida, N Achargui, et al. · Journal of Crystal Growth · 5
Hetero-epitaxy of ZnSiAs2/GaAs grown by atmospheric pressure MOVPE
1991 · N. Achargui, A. Benachenhou, et al. · Journal of Crystal Growth · 5
Cinétique de croissance de couches Ge/GaAs en présence d'éléments dopants: BI3(p) ET AsH3(n)
1986 · D. Étienne, G. Bougnot, et al. · Journal of Crystal Growth · 1
Structural and Optical Properties of Ternary Semiconductor Alloy Cd0.5Zn0.5Te
2011 · G. El Hallani, A. Gassoumi, et al. · Sensor Letters
Ab Initio Study of Phase Separation and Ordering in Ii-iv-based Ternary Alloys
2008 · R. Miloua, Farid Miloua, et al. · Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)
Elaboration de ZnSiAs₂ pa rE.P.V et E.P.V.O.M. : Caractérisations optiques et électriques
1991 · Achargui, Nour Eddine · Toubkal
Influence du dopage p et n sur la croissance en phase vapeur de germanium sur substrats germanium
1986 · D Étienne, G Bougnot, et al. · Thin Solid Films
Dopage p par BI3 de couches Ge/Ge ET Ge/GaAs; caractérisationélectrique
1986 · D. Étienne, N. Achargui, et al. · Journal of Crystal Growth
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs
1986 · D. Etienne, N. Achargui, et al. · Revue de Physique Appliquée
Works count: 14
Citation count: 42
H-index: 4
I10-index: 2
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