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D. Étienne

Observed names: D Étienne, D. ETIENNE, D. Etienne, D. E´tienne, Daniel Etienne, Etienne , Daniel (ed.), Etienne, D.
OpenAlex ID: A5033101507
Growth of Ga1−xAlxSb and Ga1−xInxSb by organometallic chemical vapor deposition
1986 · G.J. Bougnot, A.F. Foucaran, et al. · Journal of Crystal Growth · 32
The composition and temperature dependences of the fundamental band gap in ZnSxSe1−x alloys
1979 · L. Soonckindt, D. Etienne, et al. · Surface Science · 25
He´te´ro-e´pitaxie de ZnSe sur GaAs par transport en tube ouvert
1975 · J. Chevrier, G. Galibert, et al. · Journal of Crystal Growth · 15
Epitaxial Growth of Cubic ZnS x Se1 − x by Vapor Phase Transport
1980 · D. Etienne, L. Soonckindt, et al. · Journal of The Electrochemical Society · 13
Croissance epitaxiale du seleniure de zinc sur l'arseniure de gallium
1971 · G. Bougnot, D. Etienne, et al. · Materials Research Bulletin · 13
Self-activated luminescence in zinc-sulfo-selenide crystals
1980 · M. de Murcia, D. Block, et al. · Journal of Physics and Chemistry of Solids · 9
Effets D'interaction entre substrat, dépôt et gaz vecteur lors de l'épitaxie de ZnSe sur GaAs
1977 · Jean Chevrier, Daniel Etienne, et al. · Journal of Crystal Growth · 9
Croissance et caractérisation de couches ZnSe, ZnS et ZnSxSe1-x épitaxiées sur flourine
1977 · D Étienne, J Chevrier, et al. · Journal of Crystal Growth · 9
Sur la photoluminescence du séléniure de zinc
1975 · D. Etienne, J. Allègre, et al. · physica status solidi (a) · 9
Croissance et caractérisation de ZnSxSe1−x sur CaF2 par la technique du transport en phase vapeur en tube ouvert
1980 · D Étienne, M De Murcia, et al. · Thin Solid Films · 8
Hetero-epitaxy of ZnSe on GaAs by hydrogen transport
1972 · J. Chevrier, D. Etienne, et al. · Materials Research Bulletin · 8
Photoluminescence des couches minces ZnSe/GaAs obtenues par transport avec H2
1976 · D. Etienne, G. Bougnot · Thin Solid Films · 7
Evaporation chimique du GaAs sous flux d'hydrogene et d'acide chlorhydrique
1973 · D. Etienne, J. Chevrier, et al. · Materials Research Bulletin · 6
Étude de la cinétique de croissance de couches ZnSe ET ZnS épitaxiées sur fluorine par transport en phase vapeur
1980 · D. Étienne, G. Bougnot · Thin Solid Films · 4
Évaporation du séléniure de zinc en tube ouvert sous flux d'argon et d'hydrogène
1974 · J. Chevrier, D. Etienne, et al. · Revue de Physique Appliquée · 4
Contribution aux etudes theoriques du transport en phase vapeur des composes III-V: GaAs, GaP, GaSb
1971 · G. Bougnot, J. Chevrier, et al. · Materials Research Bulletin · 4
Cinétique de croissance de couches de Ge épitaxiées sur Ge et GaAs PAR transport en phase vapeur
1984 · D. Etienne, G. Bougnot · Journal of Crystal Growth · 3
Propriétés optiques des hétérojonctions ZnSe sur GaAs
1976 · D. Etienne, G. Bougnot · Thin Solid Films · 3
Characterization of undoped ZnSxSe1−x layer grown by vapor phase chemical transport by photoelectronic techniques
1979 · M. De Murcia, D. Etienne, et al. · Surface Science · 2
Photoluminescence de ZnSe: Ga et ZnSe: As
1975 · D. Etienne, G. Bougnot · Materials Research Bulletin · 2
Cinétique de croissance de Ge/Ge et Ge/GaAs dans le système GeH2HeI2
1986 · D Étienne, G Bougnot · Thin Solid Films · 1
Cinétique de croissance de couches Ge/GaAs en présence d'éléments dopants: BI3(p) ET AsH3(n)
1986 · D. Étienne, G. Bougnot, et al. · Journal of Crystal Growth · 1
Influence du dopage p et n sur la croissance en phase vapeur de germanium sur substrats germanium
1986 · D Étienne, G Bougnot, et al. · Thin Solid Films
Dopage p par BI3 de couches Ge/Ge ET Ge/GaAs; caractérisationélectrique
1986 · D. Étienne, N. Achargui, et al. · Journal of Crystal Growth
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs
1986 · D. Etienne, N. Achargui, et al. · Revue de Physique Appliquée
Works count: 33
Citation count: 187
H-index: 9
I10-index: 5
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