Get started
Author

Fedor A. Ptashchenko

Observed names: F Ptashchenko, F. A. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, F. Ptashchenko, F.A. Ptashchenko, Fedor Ptashchenko, Ф. О. ПТАЩЕНКО, Ф. О. Птащенко, Федір Птащенко
ORCID: 0000-0002-8203-0494
Observed ORCID: 0000-0002-8203-0494
OpenAlex ID: A5044933989
Electrochemical etching of porous silicon – DFT modeling
2021 · Fedor Ptashchenko · Computational Materials Science · 17
Formation of Acceptor States on the Silicon Hydroxylated Surface Upon NO2 Molecules Adsorption
2017 · Fedor Ptashchenko · physica status solidi (b) · 7
Polarization of the spontaneous radiation of stressed laser heterostructures
1994 · A.A. Ptashchenko, M.V. Deych, et al. · Solid-State Electronics · 7
Conductivity Change of Silicon Structures in the Atmosphere of Nitric Oxide: Ab initio Calculations
2017 · F. A. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 4
Long‐Range Interaction Between NO2 Molecules, Impurity Boron Atoms and Si Atoms with Dangling Bonds in Porous Silicon
2018 · Fedor Ptashchenko · physica status solidi (b) · 3
Mechanisms of Changing the Conductivity of Porous Silicon in an Ammonia Atmosphere – DFT Modeling
2020 · F. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 2
Appearance of Additional Electronic Conductivity Silicon Structures in the Atmosphere of Wet Ammonia: ab Initio Calculations
2016 · F. A. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 2
“Excess” polarization of the spontaneous emission in laser heterostructures
1996 · A.A. Ptashchenko, F.A. Ptashchenko · Solid-State Electronics · 2
Energy Parameters of the Simplest Chemical Reactions Occurring at the First Stages of Silicon Electrochemical Etching – DFT-Modeling
2023 · F. Ptashchenko, , 8, Didrikhson st., 65029 Odesa, Ukraine · Journal of Nano- and Electronic Physics · 1
PDF
Effect of Long-Range Passivation of Impurity Atoms by Surface Dangling Bonds on the Conductivity of Porous Silicon
2019 · F. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 1
DFT-modeling of Ammonia Molecules Protonation on a p-type Silicon Surface
2019 · F. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 1
Long-range Interaction between Impurity Boron Atoms and Surface Broken Bonds in Porous Silicon: DFT Calculations
2018 · F. A. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics · 1
Tunnel surface recombination in optoelectronic device modeling
1997 · Alexander A. Ptashchenko, Fedor A. Ptashchenko · Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE · 1
Effect of Local Nonradiative Recombination on Time-Resolved Electroluminescence of p–n Junctions
1997 · A. A. Ptashchenko, D. V. Melkonyan, et al. · physica status solidi (a) · 1
Експериментальне визначення порогових параметрів напруги електричного струму при високочастотному електрозварюванні сітківки оригінальним монополярним зондом 25-G в залежності від вмісту вітреальної порожнини
2026 · Є. А. Чумаков, М. М. Уманець, et al. · Ukrainian Journal of Ophthalmology
PDF
Моделювання Та Оптимізація Резонансних Умов Для Систем Бездротової Передачі Енергії В Увч-діапазоні
2025 · Ф. О. ПТАЩЕНКО, О. Ю. ПОПОВСЬКИЙ, et al. · Вісник Херсонського національного технічного університету
PDF
Застосування Платформи Labview Для Створення Віртуального Лабораторного Стенду «визначення Швидкості Звуку Методом Інтерференції»
2024 · Федір Птащенко, Валерій Зенченко, et al. · THEORETICAL AND EMPIRICAL SCIENTIFIC RESEARCH: CONCEPT AND TRENDS VOLUME1
PDF
DFT Modeling of Chemical Reactions Occurring Under the Influence of Positive Ionic Complexes of Aqueous HF Solutions During Electrochemical Etching of Silicon
2024 · F. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics
Віртуальний Лабораторний Практикум З Фізики На Платформі Labview – Розділ «коливання І Хвилі»
2023 · Федір Птащенко, Валерій Зенченко, et al. · Theoretical and Practical Aspects of Modern Scientific Research
PDF
Long-range Interaction between pb-centers andNO2 Molecules Adsorbed on the Silicon Suface
2018 · F. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics
Effect of the Doping Level on the Gas Sensitivity of Si p-n Junctions
2018 · O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, et al. · Journal of Nano- and Electronic Physics
Long-range Passivation of Phosphorus Impurity Atoms by Pb-centers and the Emergence of Barriers for Electrons in n-type Porous Silicon
2018 · F. A. Ptashchenko · Journal of Nano- and Electronic Physics
EFFECT OF WATER VAPORS ON THE TIME-RESOLVED SURFACE CURRENT INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION IN GaAs P-N JUNCTIONS
2016 · O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, et al. · Photoelectronics
PDF
Mechanism of the Ammonia Molecules Protonation on the Naturally Oxidized Silicon Surface
2015 · F. A. Ptashchenko · Electronic Sumy State University Institutional Repository (Sumy State University)
Determination of electric current threshold parameters for high-frequency electric welding of the retina in experiment and based on two-dimensional numerical simulation depending on the intraocular contents (vitreous, perftordekalin, air)
2013 · M Umanets, N Pasyechnikova, et al. · Oftalmologicheskii Zhurnal
Works count: 31
Citation count: 50
H-index: 4
I10-index: 1
Year
Topic
Type