Get started
Author

Yu. V. Syrov

Observed names: Y. V. Syrov, Yu. Syrov, Yuriy V. Syrov, Ю. В. Сыров, Ю.В. Сыров
Institution: Giredmet (Russia)
ORCID: 0000-0003-2226-5790
Observed ORCID: 0000-0003-2226-5790
OpenAlex ID: A5047860023
Alkoxide Route to Re- and Mo-Based Metallic and Oxide Materials
2004 · P. A. Shcheglov, D. V. Drobot, et al. · Inorganic Materials · 7
Synthesis and Study of Rhenium(iv) Disulphide
2017 · A. M. Ionov, M. R. Kobrin, et al. · Fine Chemical Technologies · 5
PDF
Origin of Porous Silicon Photoluminescence Peaks in the Wavelength Range 460–700 nm
2018 · E. N. Abramova, A. M. Khort, et al. · Doklady Chemistry · 4
Causes of Por-Si Photoluminescence Peaks in the Range λ = 460–700 nm
2018 · E. Abramova, A. Khort, et al. · Доклады Академии наук · 3
Thermal Oxidation of a Single-Crystal GaAs Surface Treated in Sulfur Vapor
2021 · I. Ya. Mittova, B. V. Sladkopevtsev, et al. · Inorganic Materials · 2
Study of the influence of treatment on the strength of undoped indium antimonide single-crystal plates
2021 · S. S. Kormilitsina, E. V. Molodtsova, et al. · Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering · 2
PDF
InSbS 3 – новый представитель трубчатых кристаллов
2018 · А. П. Давыгора, Ю. В. Сыров · Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования · 2
Morphology of pores produced in n-Si {100} by etching in hydrofluoric acid solutions
2016 · E. N. Abramova, A. M. Khort, et al. · Inorganic Materials · 2
Interaction of indium antimonide with saturated sulfur vapor
2016 · Yu. V. Syrov · Doklady Chemistry · 2
The effect of the hydrofluoric acid etchant–silicon system anisotropy on the shape of pores formed upon electrochemical etching of silicon
2015 · E. N. Abramova, A. M. Khort, et al. · Doklady Chemistry · 2
Modern scientific and practical approaches to the production of substrates from semiconductor compounds А3В5. Review
2024 · Elena N. Abramova, Roman Yu. Kozlov, et al. · Конденсированные среды и межфазные границы · 1
Features of Pore Nucleation in p-Si during Its Electrochemical Etching
2019 · E. N. Abramova, A. M. Khort, et al. · Doklady Chemistry · 1
InSbS3 as a New Representative of Tubular Crystals
2018 · A. P. Davygora, Y. V. Syrov · Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques · 1
Влияние анизотропии системы фтористоводородный травитель–кремний на форму пор, образующихся при электрохимическом травлении кремния
2015 · Е. Н. Абрамова, А. М. Хорт, et al. · Доклады Академии наук · 1
Estimation of dislocation density on GaAs plates using machine vision
2025 · R. A. Verbitsky, V. D. Latonov, et al. · Industrial laboratory Diagnostics of materials
Estimation of the Dislocation Density on GaAs Wafers Using Machine Vision
2025 · R. A. Verbitsky, V. D. Latonov, et al. · Inorganic Materials
Analysis of Factors Influencing the Selective Etching of {100} Surface of Single-Crystal Gaas Usedto Determine the Dislocation Density
2024 · R. A. Verbitsky, K. S. Polzikova, et al. · Inorganic Materials Applied Research
Термическое оксидирование поверхности монокристаллического GaAs, обработанной в парах серы
2021 · И. Я. Миттова, Б. В. Сладкопевцев, et al. · Неорганические материалы
A Decisive Role of Si and Ge Energy Levels in the Process of Pore Formation during Electrochemical Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
2020 · A. M. Khort, A. G. Yakovenko, et al. · Doklady Chemistry
Определяющая роль энергетических уровней атомных орбиталей Si и Ge в процессе образования пор при электрохимическом травлении в растворах фтористоводородной кислоты
2020 · А. М. Хорт, А. Г. Яковенко, et al. · Доклады Российской академии наук Химия науки о материалах
Peculiarities of pore initiation in р-type silicon during its electrochemical etching
2019 · E. N. Abramova, A. M. Khort, et al. · Доклады Академии наук
PDF
Influence of the Crystallographic Orientation of a Substrate on the Nucleation, Shape, and Evolution of Silicon Pores during its Electrochemical Etching in Hydrofluoric-Acid Solutions
2018 · E. N. Abramova, Yu. V. Syrov, et al. · Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques
ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ НА ЗАРОЖДЕНИЕ, ФОРМУ И РАЗВИТИЕ ПОР В КРЕМНИИ ПРИ ЕГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОМ ТРАВЛЕНИИ В РАСТВОРАХ ФТОРИСТОВОДОРОДНОЙ КИСЛОТЫ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"
2018 · Е.Н. Абрамова, Ю.В. Сыров, et al. · Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования
Морфология пор вn-Si {100} при его травлении в растворах фтористоводородной кислоты
2016 · Е. Н. Абрамова, А. М. Хорт, et al. · Неорганические материалы
Взаимодействие Антимонида Индия С Насыщенным Паром Серы
2016 · Ю. В. Сыров · Доклады Академии наук
Works count: 28
Citation count: 35
H-index: 3
I10-index:
Year
Topic
Type