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Charles Pitaval

Institutions: Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, III V Lab

Observed institutions: Université de Lille, Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, III V Lab

ORCID: 0000-0001-8992-8654

Observed ORCID: 0000-0001-8992-8654

OpenAlex ID: A5062409918

InAlGaN-based HEMT with very low Ohmic contact resistance regrown at 850 °C by MOVPE

2024 · Charles Pitaval, Sébastien Aroulanda, et al. · Applied Physics Letters · 5

Highly Si‐Doped GaN Regrown by Metal–Organic Vapor‐Phase Epitaxy for Ohmic Contact Applied to Quaternary Barrier‐Based High‐Electron‐Mobility Transistors

2022 · Charles Pitaval, Cédric Lacam, et al. · physica status solidi (a) · 5

Reprise de croissance MOVPE des contacts ohmiques pour des dispositifs de type HEMT à base de GaN

2023 · Charles Pitaval · theses.fr (ABES)

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