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K. Thiessen

Observed names: K . Thiessen, Klaus Thiessen

OpenAlex ID: A5064258310

Application of nematic liquid crystals for the investigation of p–n junctions and insulating layers

1972 · K. Thiessen, Le Trong Tuyen · physica status solidi (a) · 11

Photo‐EMK bei Störstellen‐ und Grundgitteranregung im SiC

1962 · K. Thiessen, G. Jungk · physica status solidi (b) · 9

The liquid crystal technique for the observation of electric fields in p–n and Schottky Junctions

1973 · H. Klose, G. Müller, et al. · physica status solidi (a) · 3

Recombination at iron atoms and at thermally generated lattice defects in n-silicon

1972 · K. Thiessen, G. Zech · physica status solidi (a) · 3

Verstärkung und Tilgung des p–n‐Photoeffektes in Silizium

1964 · G. Jungk, H. Menniger, et al. · physica status solidi (b) · 3

Stationäre Photoleitung und p‐n‐Photoeffekt in SiC

1963 · G. Jungk, K. Thiessen, et al. · physica status solidi (b) · 3

The switching behaviour of Si p-n junctions doped with iron

1972 · K. Thiessen, G. Zech · physica status solidi (a) · 2

Minority carriers in zinc sulphide

1968 · H. Friedrich, L. A. Sysoev, et al. · physica status solidi (b) · 2

Zur Vorzeichenumkehr des photovoltaischen Effektes in Halbleitern

1963 · K. Thiessen, G. Jungk · physica status solidi (b) · 2

Messung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren im Germanium mit Hilfe der Photoleitung und des Photo‐Magneto‐Elektrischen Effektes

1962 · K. Thiessen, H. Hornung · physica status solidi (b) · 2

Rekombination in Halbleitern bei Störstellenanregung

1962 · K. Thiessen · physica status solidi (b) · 2

Zur Spektralabhängigkeit des p‐n‐Photoeffektes am SiC

1961 · G. Jungk, K. Thiessen · physica status solidi (b) · 2

Energieabhängigkeit der Diffusionslänge in Halbleitern

1966 · H. Menniger, G. Jungk, et al. · physica status solidi (b) · 1

Photoleitung und p—n‐Photoeffekt in SiC bei Anregung mit Röntgenstrahlen

1965 · G. Jungk, A. Keiper, et al. · physica status solidi (b) · 1

Einfluß von Temper‐ und Diffusionsprozessen auf die Trägerlebensdauer in Silizium

1965 · G. Jungk, H. Menniger, et al. · physica status solidi (b) · 1

Zur Kinetik der Photoleitung in SiC

1963 · K. Thiessen, W. D. Egorow, et al. · physica status solidi (b) · 1

Zum Nutzen der Kooperation mit der UdSSR am Beispiel der Forschung auf dem Gebiet der Optoelektronik

1984 · Klaus Thiessen · De Gruyter eBooks

The Switching Behaviour of Si p-n Junctions Doped with Iron

1972 · K. Thiessen, G. Zech · De Gruyter eBooks

Recombination at Iron Atoms and at Thermally Generated Lattice Defects in n-Silicon

1972 · K. Thiessen, G. Zech · De Gruyter eBooks

The Switching Behaviour of Si p-n Junctions Doped with Iron

1972 · K. Thiessen, G. Zech · De Gruyter eBooks

Recombination at Iron Atoms and at Thermally Generated Lattice Defects in n-Silicon

1972 · K. Thiessen, G Zech · De Gruyter eBooks

Application of Nematic Liquid Crystals for the Investigation of p-n Junctions and Insulating Layers

1972 · K. Thiessen, Le Trong Tuyen · De Gruyter eBooks

The Temperature Dependence of Photoelectric Effects in Silicon Carbide

1969 · K. Thiessen, G. Jungk · Elsevier eBooks

Minority Carriers in Zinc Sulphide

1968 · H. Friedrich, L. A. Sysoev, et al. · De Gruyter eBooks

Energieabhängigkeit der Diffusionslänge in Halbleitern

1966 · H. Menniger, G. Jungk, et al. · De Gruyter eBooks

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