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義人 池田

OpenAlex ID: A5072537397
B-4-68 電解液の誘電損失特性と電磁波抑制効果(b-4. 環境電磁工学,一般セッション)
2008 · 義寛 加藤, 敬祐 松波, et al. · 電子情報通信学会総合大会講演論文集
C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
2004 · 秀俊 石田, 裕 廣瀬, et al. · 電子情報通信学会総合大会講演論文集
AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
2004 · 秀俊 石田, 裕 廣瀬, et al. · 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
2004 · 秀俊 石田, 裕 廣瀬, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
[Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
2003 · 裕 廣瀬, 義人 池田, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
2002 · 裕 廣瀬, 義人 池田, et al. · 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性( 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
2002 · 裕 廣瀬, 義人 池田, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス
Sc-7-7 窒化物系電子デバイスの応用と展望
2000 · 薫 井上, 義人 池田, et al. · 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
1999 · 宏幸 正戸, 義人 池田, et al. · 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集
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