MOCVD Epitaxy and Characterization of III-As and III-P Thin Layers on 300mm Silicon Substrate
Year: 2015
Type: conference-paper
Source: HAL AMU
Authors: Martin, Mickael, Cipro, Romain, Billaud, M., Moeyaert, Jérémy, Bassani, Franck, Arnaud, S., David, Sylvain, Gorbenko, Viktoriia, Barnes, Jean-Paul, Boutry, Hervé, Duvernay, Julien, Casse, M., Bogumilowicz, Yann, Rochas, N., Chauvin, Nicolas, Bao, X., Ye, Zhiyuan, Pin, J., Sanchez, E., Baron, T.
Institutions: Aix-Marseille Université, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique, Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse, Institut de Physique Nucléaire d’Orsay, UCLouvain, Institut des Nanotechnologies de Lyon
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W1540735350