Impact of few electron phenomena on floating-gate memory reliability
Year: 2005
Type: conference-paper
Authors: G. Molas, D. Deleruyelle, B. De Salvo, G. Ghibaudo, M. Gely, S. Jacob, D. Lafond, S. Delconibus
Institutions: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Institut des Nanotechnologies de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Institut polytechnique de Grenoble, Centre National de la Recherche Scientifique, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique, Veolia (France)
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W1541148120