Effect of Cl2- and HBr-based inductively coupled plasma etching on InP surface composition analyzed using in situ x-ray photoelectron spectroscopy
Year: 2012
Type: article
DOI: 10.1116/1.3692751
Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Institut des Matériaux Jean Rouxel, Université de Nantes, Nantes Université
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
Funder: Agence Nationale de la Recherche
OpenAlex ID: W2041262082
