Layout techniques to enhance the radiation tolerance of standard CMOS technologies demonstrated on a pixel detector readout chip
Year: 2000
Type: article
Authors: W. Snoeys, F. Faccio, M. Burns, M. Campbell, E. Cantatore, N. Carrer, L. Casagrande, A. Cavagnoli, C. Dachs, S. Di Liberto, F. Formenti, A. Giraldo, E.H.M. Heijne, P. Jarron, M. Letheren, A. Marchioro, P. Martinengo, F. Meddi, B. Mikulec, M. Morando, M. Morel, E. Noah, A. Paccagnella, I. Ropotar, S. Saladino, W. Sansen, F. Santopietro, F. Scarlassara, G.F. Segato, P.M. Signe, F. Soramel, L. Vannucci, K. Vleugels
Institutions: European Organization for Nuclear Research, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Padova, LIP - Laboratory of Instrumentation and Experimental Particle Physics, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Sezione di Roma I, Sapienza University of Rome, Université de Montpellier, Université Montpellier 2, KU Leuven, Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Laboratori Nazionali di Legnaro
Language: English
Subfield: Nuclear and High Energy Physics
Field: Physics and Astronomy
Domain: Physical Sciences
Open Access status: bronze
OpenAlex ID: W2134165724