Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
Year: 2016
Type: article
Abstract: Представлены экспериментальные результаты исследований динамики фотопроводимости пленок PbSnTe : In с высоким содержанием SnTe и с соответствующим краем фундаментального поглощения вблизи 30 мкм при гелиевых температурах. Рассмотрены возможные причины гигантской (выше 2 порядков) отрицательной фотопроводимости образцов.
Source: Физика и техника полупроводников
Authors: А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, А.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев
Language: Russian
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2557278178