Твердый раствор PbSnTe : In --- уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
Year: 2016
Type: article
Abstract: Рассмотрена модель Pb1-xSnxTe:In, основанная на представлениях теории неупорядоченных систем, проведены расчеты температурных зависимостей положения уровня Ферми и концентрации носителей заряда в зависимости от уровня легирования индием и их сравнение с экспериментальными данными. Проведен расчет нестационарных вольт-амперных характеристик в режиме инжекции из контакта и ограничения тока пространственным зарядом при различных скоростях изменения напряжения, выполнено сравнение полученных данных с экспериментом и показано, что вид характеристик определяется параметрами захвата электронов на локализованные состояния. Исследованы релаксации фототока в магнитном поле и обсужден механизм таких релаксаций в предположении о магнитном вымораживании носителей заряда.
Source: Физика и техника полупроводников
Authors: Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Institution: Institute of Semiconductor Physics
Language: Russian
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2559040382