Year: 2017
Type: article
Abstract: Проведены исследования спектральных зависимостей коэффициента оптического поглощения n-Bi2Te3 в диапазоне 40-300 мэВ в зависимости от концентрации электронов и толщины образцов при комнатной температуре с целью определения параметров дополнительной подзоны в зоне проводимости теллурида висмута и ее возможного влияния на транспорт носителей заряда. Показано, что теллурид висмута является прямозонным полупроводником с дополнительной подзоной в зоне проводимости. Эти данные согласуются с исследованиями квантовых осцилляций в n-Bi2Te3 в сильных магнитных полях при температурах ниже 20 K. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44630.16
Source: Физика и техника полупроводников
Authors: А.Н. Вейс, Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов
Language: Russian
Subfield: Materials Chemistry
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2668389249