Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi-=SUB=-0.5-=/SUB=-Sb-=SUB=-1.5-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- на вторичную рекристаллизацию
Year: 2017
Type: article
Abstract: Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi0.5Sb1.5Te3 толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi0.5Sb1.5Te3, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44776.45
Source: Физика и техника полупроводников
Authors: Ю.А. Бойков, В.А. Данилов
Institution: Ioffe Institute
Language: Russian
Subfield: Materials Chemistry
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2736492072