Work

Single layers and multilayers of GaN and AlN in square-octagon structure: Stability, electronic properties, and functionalization

Year: 2017

Type: article

Source: Physical review. B./Physical review. B

DOI: 10.1103/physrevb.96.205427

Authors: E. Gürbüz, S. Cahangirov, E. Durgun, S. Ciraci

Institution: Bilkent University

Language: English

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: closed

Funders: Ulusal Yüksek Başarımlı Hesaplama Merkezi, Istanbul Teknik Üniversitesi, Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu, Türkiye Bilimler Akademisi, Bilim Akademisi

Awards: G7608586960, Yeni Nesil İki Boyutlu Malzemelerin Optoelektronik Uygulamalarına Yönelik Özelliklerinin Araştırılması

OpenAlex ID: W2769409943

FWCI: 0.895

Cites: 61

Cited by: 37

Related to: 10