Work

Aging impact of the 4H-SiC MOSFET SiO$_2$ gate dielectric

Year: 2024

Type: conference-paper

Abstract: International audience

Source: HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)

Authors: Phulpin, Tanguy, Jaffré, Alexandre, Chrétien, Pascal

Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Université Paris-Saclay, Laboratoire de Génie Électrique et Électronique de Paris, Sorbonne Université, CentraleSupélec, Université de Caen Normandie

Language: English

Topic: Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Subfield: Electrical and Electronic Engineering

Field: Engineering

Domain: Physical Sciences

Open Access status: green

OpenAlex ID: W4403621297

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