Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808-nm laser diode
Year: 2024
Type: article
Abstract: 激光二极管由于载流子泄漏严重，在波导区域发生非辐射复合，进而降低了输出功率和电光转换效率。本文设计了一种新型外延结构，通过在有源区两侧势垒和波导层之间分别插入n-Ga0.55In0.45P和p-GaAs0.6P0.4材料，调控能带结构，增大了阻挡载流子泄漏的势垒高度，抑制了载流子泄漏。研究结果表明，相较于传统结构器件，泄漏电流密度降低了87.71%。在25 °C注入电流密度为5 A/cm2时，新型外延结构的非辐射复合电流密度降低至37.411 A/cm2，输出功率达12.80 W，电光转换效率达78.24%。此外，在5 °C~65 °C温度变化范围内，中心波长的温漂系数为0.206 nm/°C，阈值电流随温度变化的拟合直线的斜率为0.00113。本文所设计结构为制备高功率激光二级管提供了理论依据。
Source: Chinese Optics
Authors: FU Meng-jie, DONG Hai-liang, JIA Zhi-gang, JIA Wei, LIANG Jian, XU Bing-she
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: hybrid
OpenAlex ID: W4405113757