Simulation of Delta barrier structures on surface dark current suppression in CMOS image sensors
Year: 2025
Type: article
Abstract: 在CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）图像传感器表面形成具有Delta结构（delta-doping）的势垒可以有效地解决传统CMOS图像传感器在辐照环境中的性能变化问题，势垒宽度、高度参数直接影响CMOS图像传感器表面暗电流，以及表面探测信号的效率。假设电子的总能量和横截隧穿方向满足薛定谔方程，计算了隧穿概率以及隧穿高度与宽度的关系，得出Delta掺杂势垒的最小宽度应该在1 nm以上，进而设计掺杂结构和掺杂浓度。讨论了Delta掺杂的CMOS具有高效、稳定和均匀的量子效率，能够提高低能电子探测，并在微光成像以及太空探测中做出贡献。
Source: Journal of Applied Optics
Authors: ZHONG Rong, 西北大学 现代物理研究所，陕西 西安 710127, YAN Lei, HAO Kun, 微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065
Language: English
Topic: CCD and CMOS Imaging Sensors
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: hybrid
OpenAlex ID: W4410446247