Work

Nonlinear modelling of AlN/GaN HEMT accounting for self-biasing effect during RF step stress: analysis and hard-SOA

Year: 2024

Type: conference-paper

Abstract: International audience

Source: HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)

Authors: Said, N., Saugnon, Damien, Harrouche, Kathia, Medjdoub, F, Labat, Nathalie, Malbert, Nathalie, Tartarin, Jean-Guy

Institutions: Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes, Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système, Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Centre National de la Recherche Scientifique, Université de Lille, Centrale Lille Institut

Language: English

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: green

Funders: Centre National de la Recherche Scientifique, LabEx GANEX, Région Occitanie Pyrénées-Méditerranée

OpenAlex ID: W4416031520

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