Work

Atomic Layer Etching of SiO2 using CF4 plasma in deposition mode at cryogenic temperature

Year: 2025

Type: conference-paper

Source: HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)

Authors: Adjabi, Madjib, Nos, Jack, Iséni, Sylvain, Cunge, Gilles, Kogelschatz, Martin, Lefaucheux, Philippe, Becerra, Loic, Despiau-Pujo, Emilie, Tillocher, Thomas, Dussart, Rémi

Institutions: Groupe de Recherches sur l'Energétique des Milieux Ionisés, Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information

Language: English

Topic: Plasma Diagnostics and Applications

Subfield: Electrical and Electronic Engineering

Field: Engineering

Domain: Physical Sciences

Open Access status: closed

OpenAlex ID: W4416216514

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