Year: 2025
Type: article
Abstract: 闪存技术自问世以来经历了长达三十余年的迭代发展，逐渐逼近物理极限，随着制程尺寸的持续微缩，存储单元间的串扰问题日益严重，对产品可靠性构成严峻挑战。为进一步提升存储密度并降低成本，三维闪存（3D NAND）技术于2007年应运而生，标志着NAND闪存进入全新纪元。为突破平面闪存（2D NAND）的物理微缩极限，3D NAND闪存技术实现了从平面结构向三维堆叠结构的根本性转变。实现了存储密度的革命性提升，制造工艺从以光刻为主导的平面缩微技术，转向以刻蚀为核心的三维堆叠技术。进入人工智能与大数据时代，3D NAND闪存技术在存储密度、容量、成本和可靠性等方面面临新的要求与挑战。在全球半导体产业竞争加剧的背景下，长江存储开发了以晶栈架构（Xtacking）为代表的创新技术，逐步突破并引领全球3D NAND闪存技术的创新性发展。以下重点梳理长江存储在不同技术节点开发的关键技术与优势，并系统总结3D NAND闪存技术在向高密度、高性能及高可靠性发展过程中的潜在挑战及其解决方案。
Source: Scientia Sinica Informationis
Authors: Zongliang HUO, Zhiliang XIA, Nanxiang CHEN
Language: English
Subfield: Computer Networks and Communications
Field: Computer Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: bronze
OpenAlex ID: W4416984370