Year: 2025
Type: book-chapter
Abstract: 载流子反转因子Pf作为评估半导体激光器的关键物理参数，直接决定器件的增益谱宽和光谱特性。采用一种基于双端光致发光（PL）光谱的非破坏性测量技术，在273~313 K的温度范围内系统研究新型InGaAs阱岛复合（WIC）结构Pf的温度依赖性。结果表明：WIC结构相较于传统量子阱（QW）展现出优异的载流子反转特性，显示出更高的反转程度。在273~313 K工作温度下，其Pf>0的能量范围约为0.14~0.17 eV，较QW结构（0.12~0.15 eV）提升约15.1%。此外，WIC结构的光谱带宽（74.8 nm）相较于QW结构（42.8 nm）提升约74.8%。随着温度升高，WIC结构载流子反转程度缩减17.6%，相对QW结构（20%）表现出更低的温度依赖性。WIC结构的以上优势源于由双铟梯度InGaAs激活区导致的非对称能带结构。这一研究为开发超宽光谱输出的热稳定新型量子约束激光器提供重要的理论依据和实验支持。
Source: Acta Optica Sinica
DOI: 10.3788/aos251382
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: bronze
OpenAlex ID: W4417265193