Work

Influence of Growth Temperature and Scandium Concentration on the Surface Oxidation of ScAlN Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

Year: 2025

Type: conference-paper

Abstract: International audience

Source: HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)

Authors: Gallardo-Mödinger, Valentina, Georgi, Frédéric, Florea, Ileana, Wallart, Xavier, Vennéguès, Philippe, Cordier, Yvon, Hugues, Maxime

Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Université Côte d'Azur, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre de Mise en Forme des Matériaux, Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Language: English

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: green

Funder: Agence Nationale de la Recherche

Award: Réseau national sur GaN

OpenAlex ID: W7066287950

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