通过使用无掺杂的Al0.8Ga0.2N条状薄层结构提高无电子阻挡层的AlGaN深紫外激光二极管的性能
Year: 2025
Type: article
Abstract: 基于氮化铝的深紫外激光二极管通常使用电子阻挡层来防止电子泄漏到 p 型区。然而，电子阻挡层也会阻碍空穴注入有源区，导致激光效率降低。为了解决这个问题，我们建议在最后一个量子势垒之后使用未掺杂的薄 Al0.8Ga0.2N 条状结构来代替电子阻挡层。研究结果表明，与使用 电子阻挡层 的传统激光设计相比，1 nm Al0.8Ga0.2N 带状层可以通过增加有效势垒高度来有效抑制电子泄漏并增强空穴注入。有源区的载流子浓度和量子阱的重组效率提高，进而增加了激光器的输出功率。
Source: Chinese Optics
Authors: Xi-en SANG, Fang WANG, Jun-jie LIU, Yu-huai LIU
Language: English
Subfield: Condensed Matter Physics
Field: Physics and Astronomy
Domain: Physical Sciences
Open Access status: hybrid
OpenAlex ID: W7083624416
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