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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky GaN dans un TP innovant au sein du PLFM de Lille

Year: 2025
Type: conference-paper
Abstract: Cet article présente la mise en place d'un Travail Pratique (TP) innovant au sein du Pôle CNFM de Lille (PLFM).
Language: English
Subfield: Architecture
Open Access status: green
OpenAlex ID: W7112830504
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