Year: 2026
Type: article
Abstract: При вивченні фізико-хімічної взаємодії в системі Tl–Cd–Ge–Se основна увага приділялася квазібінарним перерізам на основі Tl2CdGe3Se8 за участю стабільних подвійних і потрійних сполук в межах квазіпотрійної системи Tl2Se–CdSe–GeSe2, в якій відомо про утворення двох тетрарних сполук: Tl2CdGeSe4 та Tl2CdGe3Se8, що кристалізуються в ПГ I‑42m та P212121, відповідно. При наявності на обмежуючих квазіподвійних сторонах Tl2Se–GeSe2 та CdSe–GeSe2 чотирьох тернарних халькогенідних сполук Tl4GeSe4, Tl2GeSe3, Tl2Ge2Se5 та Cd4GeSe6 і двох тетрарних всередині системи Tl2CdGeSe4, Tl2CdGe3Se8, з яких перші дві та остання утворюються конґруентно, з’ясовано, що квазіпотрійна система Tl2Se–CdSe–GeSe2 триангулюється п’ятьма перерізами Tl4GeSe4–CdSe, Tl2GeSe3–CdSe, Tl2GeSe3– Tl2CdGe3Se8, Tl2CdGe3Se8–GeSe2 та Tl2CdGe3Se8–CdSe на п’ять вторинних підсистем: Tl2Se–CdSe–Tl4GeSe4, Tl4GeSe4–CdSe–Tl2GeSe3, Tl2GeSe3–CdSe–Tl2CdGe3Se8, Tl2GeSe3–Tl2CdGe3Se8–GeSe2, CdSe–Tl2CdGe3Se8–GeSe2.
DOI: 10.31713/vt1202610
Authors: А.О. Селезень, М.В. Мороз, Л.В. Піскач
Language: Ukrainian
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W7141544853