Work

Оптимізація властивостей нового термоелектричного матеріалу, отриманого легуванням напівпровідника n-Ti1-xNbxNiSn атомами Sb

Year: 2025
Type: article
Abstract: Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості нового термоелектричного матеріалу n-Ti1-xNbxNiSn1-ySby, х=0.01–0.02, у=0–0.03, отриманого легуванням напівпровідника n-Ti1-xNbxNiSn атомами Sb (4d105s25p3) шляхом заміщення атомів Sn (4d105s25p2). Встановлено природу генерованих енергетичних станів та механізмів електропровідності. Показано, що за різних концентрацій атомів Sb у кристалографічній позиції 4c генеруються структурні дефекти донорної природи, а в забороненій зоні eg напівпровідника – відповідні їм енергетичні стани εDSb(Sn). Оптимізація властивостей твердого розчину n-Ti1-xNbxNiSn шляхом легування напівпровідника n-типу провідності донорною домішкою приводить до зменшення ступеню компенсації та відповідає умовам досягнення максимальної ефективності перетворення теплової енергії в електричну. Отримано новий напівпровідниковий термоелектричний матеріал n-Ti1-xNbxNiSn1-ySby з високими значеннями термоелектричної потужності.
Language: Ukrainian
Open Access status: hybrid
OpenAlex ID: W7146955712
FWCI:
Cites:
Cited by:
Related to: 10