Author

P. Salsac

Institutions: Alcatel Lucent (Germany), Alcatel-Lucent (France)

Observed institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Alcatel Lucent (Germany), Université de Montpellier, Alcatel-Lucent (France)

OpenAlex ID: A5028997012

First life-test results on planar p-i-n InGaAs/InP photodiodes passivated with SiO2or SiNx+SiO2or SiNxlayers

1985 · G. Ripoche, Ph. Decor, et al. · IEEE Electron Device Letters · 22

Numerical simulation of avalanche photodiodes with guard ring

1991 · J. Harari, D. Decoster, et al. · IEE Proceedings J Optoelectronics · 14

Diffusion du zinc dans GaAlSb et application à la photodétection infrarouge

1984 · A. Joullié, F. De Anda, et al. · Revue de Physique Appliquée · 10

Growth kinetics of LPE Ga0.83Al0.17Sb layers grown from supercooled solutions

1983 · M. Mebarki, P. Salsac, et al. · Journal of Crystal Growth · 8

Photodétecteurs à base de Ga1-x Alx Sb dans la gamme 1,3-1,6 μm

1983 · L. Gouskov, M. Boustani, et al. · Revue de Physique Appliquée · 2

Works count: 5

Citation count: 56

H-index: 4

I10-index: 3