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조학동

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Mg flux 에 따른 P - type GaN 특성 변화

1997 · 박승호, 조학동, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

Nitridation effect of GaN epitaxial layer grown by MBE

1997 · 박창수, 조학동, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

Characteristics of GaN films by RF - Molecular Beam Epitaxy according to the growth process

1997 · 윤갑수, 김채옥, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

Characteristics of GaN epitaxial layer grown on 6H - SiC(0001) by RF - Molecular Beam Epitaxy

1997 · 원상현, 정관수, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

Optical properties of GaN by the Effect of Hydrogenation

1997 · 박승호, 조학동, et al. · 대한전자공학회 학술대회

MBE로 성장된 InxGa₁-xN의 Indium mole fraction에 따른 특성 조사

1996 · 박승호, 조학동, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

MBE법으로 성장한 CdTe / Si(100)의 특성 연구

1995 · 류영선, 한명수, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

Er 과 Ti doping에 따른 InGaAs / InP의 반절연성연구

1995 · 김충배, 조학동, et al. · 한국진공학회 학술발표회초록집

AlGaAs 및 In GaAs의 Erbium 도핑의 최적조건

1995 · 조학동, 위영호, et al. · 대한전자공학회 학술대회

중성자 변환도핑된 GaAs의 수소화 효과

1994 · 조학동, 손윤, et al. · 대한전자공학회 학술대회

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