Author

勝下村

Observed institution: Shizuoka University

OpenAlex ID: A5080198285

9pPSA-93 光電子回折分光法による化合物半導体InSbの原子構造と構成元素別状態密度の解析(9pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

2014 · 弘晃西川, 智裕松下, et al. · 日本物理学会講演概要集

21pHT-3 内殻準位シフト分解光電子回折とその応用(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

2010 · 勝下村 · 日本物理学会講演概要集

21pHT-3 内殻準位シフト分解光電子回折とその応用(21pHT 領域10,領域9,領域1合同シンポジウム:原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

2010 · 勝下村 · 日本物理学会講演概要集

In吸着GaP(001)表面のSTMによる観察

2006 · 大介市川, 勝下村, et al.

26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))

2005 · 勝下村, 匡司虻川, et al. · 日本物理学会講演概要集

講義 Iii-v族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態

2003 · 安生福田, 勝下村, et al. · Journal of Surface Analysis

17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析

2001 · 勝下村, 学宗像, et al. · 日本物理学会講演概要集

25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定

2000 · 勝下村, 匡司虻川, et al. · 日本物理学会講演概要集

清浄およびH_2S処理GaP(111)の表面構造と電子状態

2000 · 則明真田, 信弘内海, et al. · 静岡大学電子工学研究所研究報告

26a-YR-9 X線光電子回折によるSi(001)2×3-Ag最表面層の構造解析

1998 · 勝下村, 匡司虻川, et al. · 日本物理学会講演概要集

(NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析

1998 · 祐永市川, 則明眞田, et al. · 静岡大学電子工学研究所研究報告

H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態

1995 · 勝下村, 晃一仲, et al. · Research at the University of Copenhagen (University of Copenhagen)

5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究

1994 · 則明眞田, 安生福田, et al. · 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会

光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態

1992 · 則明眞田, 安生福田, et al. · 静岡大学電子工学研究所研究報告

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