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Hiroomi Nakajima

Observed name: 博臣 中島
OpenAlex ID: A5109347142
Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node and Beyond
2006 · Tomoaki Shino, Naoki Kusunoki, et al. · Technical digest - International Electron Devices Meeting/Technical digest · 33
A Floating-Body Cell Fully Compatible With 90-nm CMOS Technology Node for a 128-Mb SOI DRAM and Its Scalability
2007 · Takeshi Hamamoto, Yoshihiro Minami, et al. · IEEE Transactions on Electron Devices · 27
FBC's Potential of 6F2 Single Cell Operation in Multi-Gbit Memories Confirmed by a Newly Developed Method for Measuring Signal Sense Margin
2007 · Fumiyoshi Matsuoka, Takashi Ohsawa, et al. · Technical digest - International Electron Devices Meeting/Technical digest · 12
Autonomous refresh of floating body cell (FBC)
2008 · Takashi Ohsawa, Ryo Fukuda, et al. · Technical digest - International Electron Devices Meeting/Technical digest · 8
Autonomous Refresh of Floating-Body Cell due to Current Anomaly of Impact Ionization
2009 · Takashi Ohsawa, Ryo Fukuda, et al. · IEEE Transactions on Electron Devices · 5
Reduction of Bipolar Disturb of Floating-Body Cell (FBC) by Silicide and Thin Silicon Film Formed at Source and Drain Regions
2010 · Takeshi Hamamoto, Yoshiaki Fukuzumi, et al. · IEEE Transactions on Electron Devices · 1
Corrigendum: "Analysis of hot carrier instability in a floating body cell" [Jpn. J. Appl. Phys. 63, 094002 (2024)]
2024 · Hiroomi Nakajima, Tomoaki Shino, et al. · Japanese Journal of Applied Physics
Analysis of hot carrier instability in a floating body cell
2024 · Hiroomi Nakajima, Tomoaki Shino, et al. · Japanese Journal of Applied Physics
Floating Body RAM 技術開発及びその 32nm node へ向けた Scalability
2007 · 博臣 中島, 直樹 楠, et al. · IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node and Beyond
2007 · Hiroomi Nakajima, N. Kusunoki, et al. · IEICE technical report. Speech
Floating Body RAM Technology and its Scalability to 32nm Node
2007 · Hiroomi Nakajima, N. Kusunoki, et al. · IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
A Floating-Body Cell Fully Compatible With 90-nm CMOS Technology Node for a
2007 · Soi Dram, Takeshi Hamamoto, et al.
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
2006 · 博臣 中島, 良博 南, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
2006 · 博臣 中島, 良博 南, et al. · IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
Technology development of 128Mb-FBC(Floating Body Cell) Memory by 90nm node CMOS process
2006 · Hiroomi Nakajima, Y. Minami, et al. · IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
90nmCMOSプロセスによる128Mb-FEC (Floating Body Cell) メモリの技術開発
2006 · 良博 南, 智彰 篠, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発( 先端CMOSデバイス・プロセス技術)
2006 · 良博 南, 智彰 篠, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
Soi上の1tゲインセル(fbc)を用いた128mビットdram
2005 · 隆 大澤, 勝之 藤田, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
A 128Mb DRAM Using a 1T Gain Cell(FBC) on SOI
2005 · Takashi Ohsawa, K. Fujita, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
Soi上の1tゲインセル(fbc)を用いた128mビットdram(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, Isscc特集2 Dram)
2005 · 隆 大澤, 勝之 藤田, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
混載 Dram に適したsoi上の1トランジスタゲインセル(fbc)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果
2003 · 隆 大澤, 知輝 東, et al. · 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
2003 · 良博 南, 和美 井納, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
混載dramに適したsoi上の1トランジスタゲインセル(fbc)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(vlsi回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
2003 · 隆 大澤, 知輝 東, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
A Memory Using One-Transistor Gain Cell on SOI(FBC) with Performance Suitable for Embedded DRAM's : Measurement Results of Cell Characteristics and Memory Performance
2003 · Takashi Ohsawa, Tomoki Higashi, et al. · Technical report of IEICE. SDM
SOI 上に形成した混載 DRAM 用メモリセル : FBC (Floating Body Cell)
2003 · 良博 南, 和美 井納, et al. · SIAM International Conference on Data Mining
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