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Yasushi Yamagata
Observed names:
保司 山縣,
山縣保司
Observed institution:
NEC (Japan)
OpenAlex ID:
A5111621624
Design Methodology of Body-Biasing Scheme for Low Power System LSI With Multi- $V_{\rm th}$ Transistors
2007
·
Yuri Yasuda
, Yutaka Akiyama
, et al.
·
IEEE Transactions on Electron Devices
·
13
Ultralow-voltage design and technology of silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) CMOS for highly energy efficient electronics in IoT era
2014
·
Shiro Kamohara
, Nobuyuki Sugii
, et al.
·
Symposium on VLSI Technology
·
12
A Silicon-on-Thin-Buried-Oxide CMOS Microcontroller with Embedded Atom-Switch ROM
2015
·
Toshitsugu Sakamoto
, Yukihide Tsuji
, et al.
·
IEEE Micro
·
6
Low-power embedded read-only memory using atom switch and silicon-on-thin-buried-oxide transistor
2015
·
Toshitsugu Sakamoto
, Munehiro Tada
, et al.
·
Applied Physics Express
·
5
PDF
0.39-V, 18.26-µW/MHz SOTB CMOS Microcontroller with embedded atom switch ROM
2015
·
Toshitsugu Sakamoto
, Yukihide Tsuji
, et al.
·
IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS)
·
2
Highly Manufacturable and Reliable HfSiON N-FET With Poly-Si/a-Si Stacked Gate for LSTP Applications
2008
·
Yuri Yasuda
, Ichiro Yamamoto
, et al.
·
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
·
2
45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
2008
·
元 筒井
, 一晃 角田
, et al.
·
SIAM International Conference on Data Mining
Reduction of Vth Variation Utilizing HfSiOx for 45nm SRAM
2008
·
Tsutsui Gen
, Tsunoda Kazuaki
, et al.
·
Technical report of IEICE. SDM
Low Stand-by Power HfSiON Transistor Design Scheme Ensuring Both Performance and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime for 65 nm Node and Beyond
2007
·
Yuri Yasuda
, Ichiro Yamamoto
, et al.
·
Japanese Journal of Applied Physics
PDF
MIM(Metal-Insulator-Metal) キャパシタを用いた混載DRAM用デバイステクノロジー
2007
·
高穂 谷川
, 保司 山縣
, et al.
·
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路
Device Technology for embedded DRAM utilizing stacked MIM(Metal-Insulator-Metal) Capacitor
2007
·
Tanigawa Takaho
, Yasushi Yamagata
, et al.
·
IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
MIM (Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
2007
·
谷川高穂
, 山縣保司
, et al.
·
IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
MIM (Metal‐Insulator‐Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー
2007
·
谷川高穂
, 山縣保司
, et al.
·
IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.
基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
2004
·
光洋 東郷
, 利憲 深井
, et al.
·
SIAM International Conference on Data Mining
低消費電力 65nm-node 向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術
2004
·
有里 安田
, 直彦 君塚
, et al.
·
SIAM International Conference on Data Mining
Wide-range V_ 動作に適した65nm CMOS技術( IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
2004
·
寧 中原
, 利憲 深井
, et al.
·
Technical report of IEICE. SDM
Wide-range V_ 動作に適した65nm CMOS技術
2004
·
寧 中原
, 利憲 深井
, et al.
·
SIAM International Conference on Data Mining
32ビットriscマイクロコントロ-ラv853 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-ティング系システム用デバイス)
1996
·
Yasushi Yamagata
, Ishibashi Takashi
, et al.
·
NEC技報
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