Less mobility degradation induced by transverse electric-field in junctionless transistors
Year: 2014
Type: article
Source: Applied Physics Letters
DOI: 10.1063/1.4902549
Institutions: Institut polytechnique de Grenoble, Korea University, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique, Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
Awards: G1200827717, G4902896755
OpenAlex ID: W2006760880