ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Au SCHOTTKY CONTACTS EVAPORATED ON PULSED ELECTRON BEAM ANNEALED N-TYPE (100) SILICON
Year: 1983
Type: article
Abstract: Des diodes Schottky ont été réalisées sur du silicium de type N dont la surface a subi un recuit par bombardement électronique pulse (P.E.B.A.). Au-delà d'un seuil situé aux environs de 1.0 J/cm2, le recuit P.E.B.A. provoque une forte détérioration des caractéristiques électriques des diodes, une diminution de la barrière de potentiel au contact Au-Si(N) et une augmentation rapide du facteur d'idéalité. Des mesures de capacités montrent qu'une forte concentration de donneurs est introduite par le recuit P.E.B.A. Leur concentration superficielle, pouvant dépasser 1016 cm-3, et leur profil ont été déterminés par des oxydations anodiques successives. En outre, une amélioration sensible des caractéristiques des diodes est obtenue lorsque le traitement P.E.B.A. est suivi d'un recuit thermique isochrone sous hydrogène durant 30 minutes jusqu'à 600°C.
Source: Le Journal de Physique Colloques
Authors: M. S. Doghmane, D. Barbier, A. Laugier
Institution: Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
Language: English
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W2016097403