Year: 1998
Type: article
Abstract: Le composé quaternaire CuIn1—xAlxS2 a été préparé par la technique de pulvérisation chimique en phase liquide (spray). Le diagramme de diffraction de rayons X montre qu'en absence d'aluminium (x = 0), les couches de CuInS2 réalisées à une température de substrat Ts([Cu]/[In] = 1,1), sont bien cristallisées et orientées préférentiellement suivant la direction (112) correspondant au plan parallèle au substrat. En absence d'indium (x = 1) et avec un rapport de concentration ([Cu]/[Al] = 1,1), le composé CuAlS2 est obtenu à une température de substrat relativement élevée (Ts = 400 °C), l'orientation privilégiée des cristallites est suivant le plan (220). Dans le but de favoriser la formation du composé ternaire CuAlS2 dans l'alliage CuIn1—xAlxS2, une solution initiale riche en cuivre ([Cu]/[In] = 1,3) a été utilisée à Ts = 340 °C. La surface des couches a été étudiée par microscopie à force atomique (AFM). Nous avons remarqué que la cristallinité de ces alliages s'améliore lorsque la composition x augmente. D'autre part, à partir des mesures optiques de transmission T(λ) et de réflexion R(λ), l'étude du coefficient d'absorption α des couches minces de CuIn1—xAlxS2 en fonction de l'énergie de la lumière incidente hν a montré que la valeur de Eg croît en fonction de x suivant une loi quasi-linéaire et varie de 1,4 eV pour le CuInS2 à 3,2 eV pour le CuAlS2.
Source: physica status solidi (a)
Institutions: Tunis University, Université de Montpellier
Language: French
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: bronze
OpenAlex ID: W2016342520