A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
Year: 2011
Type: article
Source: Solid-State Electronics
Institutions: Universitat Rovira i Virgili, Universitat Autònoma de Barcelona, Centre National de la Recherche Scientifique, Université de Montpellier, Institut d'Électronique et des Systèmes, Université Montpellier 2, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W2018290812