Integration of 4F2 selector-less crossbar array 2Mb ReRAM based on transition metal oxides for high density memory applications
Year: 2012
Type: conference-paper
Source: Symposium on VLSI Technology
Authors: Hyung Dong Lee, S. G. Kim, K. Cho, H. Hwang, H. Choi, J. Lee, S. H. Lee, H. J. Lee, J. Suh, S.-O. Chung, Y. S. Kim, K. S. Kim, W. S. Nam, J. T. Cheong, J. T. Kim, S. Chae, E.-R. Hwang, S. N. Park, Y. S. Sohn, C. G. Lee, H. S. Shin, K. J. Lee, K. Hong, H. G. Jeong, K. M. Rho, Y. K. Kim, S. Chung, J. Nickel, J. J. Yang, H. S. Cho, F. Perner, R. S. Williams, J. H. Lee, S. K. Park, S.-J. Hong
Institution: Hewlett-Packard (United States)
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W2018394736