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Defect structure in heteroepitaxial semipolar (11\bar {2} 2 ) (Ga, Al)N

Year: 2010

Type: article

Source: Journal of Physics Condensed Matter

DOI: 10.1088/0953-8984/22/35/355802

Authors: Y Arroyo Rojas Dasilva, M P Chauvat, P Ruterana, L Lahourcade, E Monroy, G Nataf

Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Centre de Recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique, CEA Grenoble, Institut Nanosciences et Cryogénie, Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

Language: English

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: closed

Funders: European Commission, Agence Nationale de la Recherche

Award: Croissance des COuches Semipolaires de semiconducteurs NItrures de qualité optimale pour applications opto-électroniques

OpenAlex ID: W2042951110

FWCI: 1.606

Cites: 45

Cited by: 33

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