Conception de VCOs 15 GHz à très faible bruit de phase intégrés sur technologie BiCMOS SiGe 0,25μm
Year: 2013
Type: conference-paper
Abstract: Ce papier présente les résultats issus de l'étude de deux topologies d'oscillateurs contrôlés en tension entièrement intégrés sur une technologie BiCMOS SiGe:C 0,25μm, développée par NXP Semiconductors (QUBiC4X). La principale caractéristique analysée porte sur les performances en terme de bruit de phase. Les topologies retenues sont des architectures reconnues comme étant parmi les plus performantes dans les bandes L ou S. Il nous a donc semblé intéressant d'évaluer leurs performances dans la bande Ku pour laquelle les technologies III-V sont généralement utilisées.
Source: HAL
Institutions: XLIM, Université de Limoges
Language: French
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W2339824509