The impurity and phase composition of surfaces of semiconductors of the typeАIIIВV — materials for gas sensors
Year: 2018
Type: article
Abstract: Омский государственный технический университет, г.Омск 2 кемеровский государственный университет, г. кемерово 3 Омский государственный университет путей сообщения, г.Омск прИМесный И фазОвый сОстав пОверхнОстей пОлупрОвОднИкОв тИпа а III B V -МатерИалОв для газОвых сенсОрОв-датчИкОв комплексно исследован химический состав исходных и различно обработанных поверхностей полупроводников типа а III B V -GaAs, InB V (InAs, InSb, InP).Исходные поверхности содержат преимущественно адсорбированные молекулы H 2 O, CO, CO 2 , кислорода, водорода, следы углерода и его водородных соединений, оксидную фазу.высказаны соображения о составе оксидной фазы: она состоит преимущественно из оксидов атомов A III .после термической вакуумной обработки (т = 673 к, р ≈ 1,33•10 -4 па) поверхности полупроводников практически полностью освобождаются от адсорбированных примесей и в значительной степени от оксидной фазы.Остаточная оксидная фаза не экранирует активную поверхность, участвующую в адсорбционно-каталитических процессах.показано нарушение стехиометрии, особенно заметное после термической вакуумной обработки, обусловленное удалением атомов в V с образованием их вакансий.повышенная активность поверхностей изученных полупроводников по отношению к газам определенной электронной природы, обусловленная наличием вакансий (вакансионных дефектов) и остаточной оксидной фазы, является основанием рекомендовать их в качестве материалов для соответствующих сенсоров-датчиков.
Source: Omsk Scientific Bulletin
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2900529360