Superposition of interface and volume type resistive switching in perovskite nanoionic devices
Year: 2019
Type: article
Abstract: Non-filamentary and non-volatile reproducible resistive switching with a high memory window has been obtained for novel nanoionic memristors based on GdBaCo 2 O 5+δ .
Source: Journal of Materials Chemistry C
DOI: 10.1039/c9tc00609e
Institutions: Institut polytechnique de Grenoble, Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique, Université Grenoble Alpes, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique, Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes, Université Savoie Mont Blanc, Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia, Barcelona Institute of Science and Technology, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W2946535112