Parameters of Extreme Electrical Stress in Ultrathin Films of Silicon Oxide With Inhomogeneous Blocking Edge
Year: 2017
Type: article
Abstract: Параметры экстремальных электрических нагрузок в ультратонких Плёнках оксида кремния с неоднородной блокирующей границей г. в.Перов 1 , а. в. синица 1,2 1 АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ», 630082, г.Новосибирск, ул.Дачная, 60 2 Новосибирский государственный технический университет, 630073, г.Новосибирск, пр.Карла Маркса, 20 В статье определены пределы электрической совместимости процессов ионной и электронной проводимости ультратонкого диэлектрика цифровых и аналоговых микросхем со сложной архитектурой компонентов при приближении к экстремальным нагрузкам.Превышение критических значений электриче-
Authors: JSC ", G.V. Perov, Novosibirsk facility of semiconductor devices with experimental design bureau", A.V. Sinitsa
Institution: Novosibirsk State Technical University
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W2995997461