Расчет Характеристик Карбидокремниевых Диодов Шоттки Для Малогабаритных Металлополимерных Корпусов
Year: 2020
Type: article
Abstract: Выполнен расчет характеристик охранной системы карбидокремниевых 4H-SiC диодов Шоттки с использованием метода физического моделирования и установлены оптимальные конфигурации (уровни легирования и толщины эпитаксиального слоя 4H-SiC) структуры диода для получения высоких значений пробивного напряжения. Установлено, что оптимальная структура диода Шоттики, пригодного для монтажа в современных малогабаритных металлополимерных корпусах (SOT, QFN), соответствует диоду с концентрацией доноров в эптаксиальном слое 4H-SiC 3,75×1015 ñm−3, толщиной слоя 18 мкм, и системой из шести охранных p+колец и слоем JTE
Source: Прикладная математика & Физика
Institution: Bryansk State Technical University
Language: Russian
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W3042802499