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H3PO4-based wet chemical etching for recovery of dry-etched GaN surfaces

Year: 2021

Type: article

Source: Applied Surface Science

DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.152309

Authors: Sabria Benrabah, Maxime Legallais, Pascal Besson, Simon Ruel, Laura Vauche, Bernard Pelissier, Chloé Thieuleux, Bassem Salem, Matthew Charles

Institutions: Lyon 1 Université, Institut polytechnique de Grenoble, Centre National de la Recherche Scientifique, Université de Lyon, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Catalyse, Polymérisation, Procédés et Matériaux, Institut de Chimie de Lyon, École d'Ingénieurs en Chimie et Sciences du Numérique, STMicroelectronics (France)

Language: English

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: bronze

Funder: Agence Nationale de la Recherche

Award: Caractérisation et Test In-situ des Matériaux, Procédés et des Architectures

OpenAlex ID: W4200424747

FWCI: 2.015

Cites: 41

Cited by: 39

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