Year: 2013
Type: article
Abstract: В статье рассмотрена возможность cформировать один p-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.Ключевые слова: светотранзистор, излучающий p-n-переход, тепловой пробой.In this article the opportunity to form a pn-junction bipolar transistor as a light-emitting, which will increase the degree of integration of large scale integrated circuits by reducing heat gain.
Language: English
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W4251982952