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Mesure temporelle de la température des dispositifs micro-ondes par thermoréflectance

Year: 2022

Type: conference-paper

Abstract: Une méthode optique par thermoréflectance se basant sur la réflectivité des matériaux a été mise en place afin de mesurer la température des transistors HEMT GaN. Cette méthode permet des mesures en régime transitoire ou permanent avec une résolution avec une précision pouvant atteindre 0.5°C avec moyennage. Elle apporte notamment une information complémentaire à la mesure de la température de canal, moyennée par une méthode électrique basée sur la caractérisation du couranttension du drain [1].

Source: HAL

Authors: Jakani, Anass, Karrame, Khallil, Sommet, Raphaël, Nallatamby, Jean-Christophe

Language: French

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: green

OpenAlex ID: W4289886124

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