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Densidades y propiedades monoelectrónicas precisas de átomos pequeños

Year: 1988
Type: dissertation
Abstract: -1 2 1Debido a que la precisión con la que se obtienen experimentalmente las densidades electrónicas mediante técnicas de dispersión de electrones y dispersión de rayos X es del orden de O. 1%, es importante obtener resultados teóricos con una precisión comparable.Asimismo, la teoría de funcionales de la densidad requiere de densidades teóricas precisas para el diseño de potenciales de intercambio y correlación, y en la estimación de la precisión obtenida de densidades en aproximaciones locales.Finalmente, debido a que muchas interpretaciones físicas de las propiedades de átomos, moléculas y sólidos están basadas en densidades obtenidas de funciones HF, es deseable contar con estimaciones confiables de los errores inherentes a las densidades) K , L k , 1 en donde los determinantes K y L difieren cuando más en los espín orbitales ka y lb.Esta Última expresión se puede escribir como: 1 1 De la Ec. (29) se obtiene el desarrollo natural (Ec.18) al diagonalizar la matriz 7 de los coeficientes rkl.La matriz densidad de primer orden es diagonal en bloques de diferente espín, paridad y valor de momento angular ML.La densidad total de carga puede obtenerse de la forma diagonal del desarrollo natural de la ecuación (18) al integrar sobre las variables de espín: en donde son los orbitales naturales (ON).Los S (r) son los OTS's (Ec.25) y el conjunto {c 1 son los coeficientes de los ON'S que diagonalizan la matriz r.Los fils en la ecuación (30) son los factores de simetría que aprovechan las ventajas de la estructura diagonal en bloques de la matriz densidad, y de la simetría LS de cada átomo particular.Las posibilidades para estos factores se dan en la Tabla I .
Open Access status: gold
OpenAlex ID: W4416712769
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