Etude et développement de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb reportés sur Si en vue de l’amélioration de la dissipation thermique
Year: 2012
Type: dissertation
Source: theses.fr (ABES)
Author: Ndèye Arame Thiam
Institution: Université Lille 1
Language: French
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W7143746949