CsMnCl₃ VA CsMn(Cl0,963Br0,037)3 PEROVSKITLARINING ELEKTRON TUZILISHI VA OPTIK XOSSALARINI DFT ASOSIDA TADQIQ QILISH
Year: 2026
Type: conference-paper
Abstract: Ushbu tadqiqotda qo'rg'oshinsiz galogenli perovskit materiallari hisoblangan CsMnCl₃ hamda Br atomi bilan 3,7 % ga qisman almashtirilgan CsMn(Cl0,963Br0,037)3 birikmalarining elektron tuzilishi va optik xossalari zichlik funksional nazariyasi (DFT) asosida o'rganildi. Hisoblashlarda modifikatsiyalangan struktura uchun 45 atomdan iborat superyacheyka modeli qo'llanilib, u 9 ta Cs atomi, 9 ta Mn atomi, 26 ta Cl atomi va 1 ta Br atomidan tashkil topgan. Hisoblash jarayonida Br atomining kiritilishi materialning taqiqlangan zona kengligiga hamda optik yutilish koeffitsientiga sezilarli ta'sir ko'rsatishi aniqlandi. Zona struktura tahliliga ko'ra, CsMnCl₃ uchun taqiqlangan zona kengligi 4.46 eV ni, CsMn(Cl0,963Br0,037)3 uchun esa 4.32 eV ni tashkil etadi. Optik yutilish spektri Br bilan modifikatsiya qilingan strukturaning ko'zga ko'rinadigan sohaga yaqinroq yutilish koeffitsiyentiga ega ekanligini ko'rsatdi. Olingan natijalar galogen atomlarini qisman almashtirish orqali perovskit materiallarning optoelektron xossalarini samarali boshqarish mumkinligini ko'rsatdi.
Institutions: Urgench State University, Sichuan University
Language: Uzbek
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W7172136149